LY.4-LT-4型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。 技 术 指 标 : 少子寿命测量范围 1μs ~ 10000μs 可测电阻率下限 ≥0.1 Ω • • cm 可测样品类型: 块状和片状的单晶及多晶半导体材料 红外光源波长:1.06~1.09 μm; 脉冲电流:5A~20A 配备光源类型 : 重复频率>25 次/s 脉宽>60μs;余辉<1 μS; 高频源: 频率 30MHz; 低输出阻抗 : 输出功率> 1W 前置放大器 : 放大倍数约 25,频宽 2 Hz-2 MHz 测量方式: 采用对标准曲线读数方式 示波器 : 频带宽度不低于 10MHz,Y 轴增益及扫描速度均应连续可调 仪器工作条件 温度:10-35℃、 湿度 < 80%、使用电源:AC 220V,50Hz,功耗<50W
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